收藏本站
New Product
SMMA511DJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
20
V GS = 5 V thr u 2.5 V
10
16
12
8
4
V GS = 2 V
V GS = 1.5 V
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.09
0.0 8
V GS = 1. 8 V
500
C iss
400
0.07
300
0.06
0.05
0.04
0.03
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
200
100
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 5.5 A
1.6
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
6
1.4
1.3
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V , I D = 4.2 A
V DS = 6 V
V DS = 9.6 V
1.2
4
1.1
1.0
2
0
0.9
0. 8
0.7
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 65281
S09-2019-Rev. B, 05-Oct-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SPARS-CM012-001 SYNJET ZFLOW 65 PWM 12V
SQ1421EEH-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SQ1431EH-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 3A SC70
SQ2360EES-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
SQ3418EEV-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
SQ3427EEV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
SQ3456BEV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
SQ3460EV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
相关代理商/技术参数
SMMA921EDJ-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFETPP CH20V4.5APOWERPAK SC-70
SM-MA-MH 功能描述:MODULE M10 UHF 制造商:skyetek inc 系列:SkyeModule?? M10 包装:散装 零件状态:过期 RF 类型:读/写 频率:860MHz ~ 960MHz 特性:ISO18000-6B/C，IPX，EM4122，EM4444，EPC C1G2 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:1
SM-MA-MH-1.H-00CE-T0 功能描述:MODULE M10 UHF RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RFID 读取模块 系列:SkyeModule™ M10 产品目录绘图:DLP-RFID-UHF1B 标准包装:1 系列:- RF 型:读/写 频率:900MHz 特点:ISO 18000-6 a/b/c 封装/外壳:模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 产品目录页面:635 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:813-1029
SMMB406EDK-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFETP CH20V6APOWERPAK SC-75
SMMB911DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC75-6L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SMMB912DK 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SMMB912DK-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFETNN CH20V1.5APOWERPAK SC-75 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET,NN CH,20V,1.5A,POWERPAK SC-75 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET,NN CH,20V,1.5A,POWERPAK SC-75; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
SMMBD2835LT1G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS DUAL DIO 35V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube